此举将打破SK海力士在HBM市场的存通垄断格局，业内分析认为，过英工作三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的伟达认证测试，将用于下一代AI加速器的认证关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，加速预计下半年搭载于H200及后续GPU中。负载部署 来源：三星官方新闻 HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，存通相比上一代HBM3能效提升约20%。过英工作数据传输速率高达9.6Gbps，伟达显著降低延迟。认证目前三星已开始向英伟达批量供货，加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载单颗容量达36GB，部署通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，三星表示，